產品介紹

NEMST-HPE2018 series

微波電漿蝕刻機

微波電漿蝕刻機
微波電漿蝕刻機
  • 高效能微波電漿產生源設計: 1011~1013cm3。
  • 特殊散氣盤設計，確保電漿均勻產生。
  • 利用過濾式電漿設計，對於基板/產品 無損傷。
  • 獨特的電子迴旋共振設計，可產生高密度的電漿，並延長石英隔絕板之使用壽命。
  • 可大面積地處理基板。
  • 高蝕刻速度，通常可達每分鐘1~10微米之蝕刻速度。
  • 電漿處理均勻性高，可高達90%以上。
  • 可低溫處理，溫度控制於120℃以內。
  • 不會對於產品造成損傷。
  • 可大面積進行電漿處理，例如處理500 mm x 600 mm之基板。
  • 高分子材料 (Polymer Material)： Polyimide、Parylene、FR4、BT、Teflon 等。
  • 矽材料 (Silicon)： 單晶矽、多晶矽、非晶矽等。
  • 鈍化層/保護層 (Passivation)： 氮化矽 (Si3N4) 或 氧氮化矽 (SiON)。
  • 介電材料 (Dielectric)： 二氧化矽 (SiO2)、High-k、Low-k 材料等。
  • 半導體化合物 (Semiconductor Compound)： GaN、GaAs、InP、SiC 等。
  • 金屬材料 (Metals)： 鋁 (Al)、鈦 (Ti)、金屬合金 (Metal Alloys) 等。
  • 其他材料 (Other Material)： 藍寶石 (Sapphire)、鑽石 (Diamond)、ITO、PZT 等。
  • 半導體與週邊製程： 各類半導體製程、晶圓再生 (Wafer Reclaim)。
  • 先進封裝技術： 晶圓級封裝 (WLP)、面板級封裝 (PLP)、2.5D/3D 立體封裝、CoWoS、 FOPLP、FOWLP。
  • 載板與電路板技術： IC 載板、載板 (基板)。
  • 光電與微系統技術： Micro-LED、MEMS（微機電系統）。